Doparea unui material semiconductor reprezintă introducerea în structura materialului a unor sarcini excedentare, pentru se ameliora conductivitatea materialului.
|
|
|
Siliciu pur ( figura 7a) |
Siliciu N (figura 7b) |
Siliciu P (figura 7c) |
Figura 7: Reprezentarea schematică plană a atomilor de siliciu (4 electroni pe stratul exterior).
În stare pură, numită "intrinsecă", siliciul nu este fotoconductor (Figura 7a).
Fiind dopat cu fosfor (5 electroni pe stratul exterior), va apare un excedent de sarcini negative. Materialul va fi potenţial "donor" de electroni, disponibili pentru conducţia electrică. Acest tip de material este siliciul de tip "n" (Figura 7b).
Siliciul se poate dopa cu bor (3 electroni pe stratul exterior), apărând un excedent de "goluri", respectiv de sarcini pozitive. Materialul va fi potenţial "acceptor" de electroni. Acest tip de material este siliciul de tip "p" (Figura 7c).
